Kioxia: Produktions­verdoppelung und 10-Mio-IOPS-SSD geplant

Der NAND-Flash-Hersteller Kioxia hat so einiges vor. Zum einen sollen in den nächsten 5 Jahren die Produktionskapazitäten verdoppelt werden, um nicht zuletzt der hohen Nachfrage für KI-Anwendungen zu begegnen. Außerdem ist auf Basis des schnellen XL-Flash eine „Super High IOPS SSD“ geplant.

Kioxia will Produktion bis 2029/2030 verdoppeln

In puncto produzierte Bits will Kioxia bis zum Geschäftsjahr 2029, das vom 1. April 2029 bis 31. März 2030 läuft, die Produktions­mengen in etwa verdoppeln, berichtet unter anderem Nikkei mit Bezug auf die jüngsten Präsentationen des Unternehmen im Rahmen eines Corporate Strategy Meetings.

Dafür soll zum einen in der bereits riesigen Anlage im japanischen Yokkaichi der Fokus auf Produkte mit hoher Speicherdichte wie Kioxias BiCS8-Flash mit der branchenweit höchsten Speicherkapazität von 2 Tbit pro Die (QLC-Version) gelegt werden. Zum anderen wird die jüngere Kitakami-Anlage weiter aufgerüstet, sodass sie nach und nach annähernd das Volumen der Yokkaichi-Fab erreichen soll.

Kioxia wie auch andere Hersteller gehen von einer in den kommenden Jahren stark wachsenden Nachfrage nach Massenspeicher­produkten wie NAND-Flash und HDDs aus, da Rechenzentren für KI-Anwendungen davon eine Menge benötigen.

Die 10-Millionen-IOPS-SSD

Momentan gelten Enterprise-SSDs mit über 3 Millionen IOPS als das Maß der Dinge bei der Geschwindigkeit beim wahlfreien Lesen (Random Read). Doch mit speziellem Speicher (und dem passenden Controller) geht noch viel viel mehr. Kioxia hat jetzt Pläne zu einer „Super High IOPS SSD“ formuliert, die im zweiten Halbjahr 2026 (Kalenderjahr) erscheinen soll.

Diese nutzt nicht herkömmlichen TLC-Speicher mit 3 Bit pro Zelle, sondern den auf Höchstleistung getrimmten XL-Flash mit 1 Bit (SLC) und spezieller Architektur, die Lese-Latenzen von 3 – 5 µs ermöglicht, während normaler TLC eher bei 30 – 40 µs liegt. Entsprechend wirbt Kioxia mit einer etwa 10 Mal höheren Geschwindigkeit. Die Super High IOPS SSD, die bis dahin sicher noch einen anderen Namen bekommt, soll im zweiten Halbjahr 2026 bemustert werden, so der aktuelle Plan.

In der Speicherpyramide reiht sich dieser „Storage Class Memory“ zwischen DRAM und TLC-SSDs ein. Auch Produkte mit XL-Flash, die via CXL im Großrechner angebunden werden, hat Kioxia für diesen Zeitraum geplant. Die XL-Flash-Produkte sollen unter anderem KI-Systemen zur Seite stehen, um eine Brücke vom extrem schnellen aber sehr kleinen HBM/DRAM bis hin zum trägen aber großen Massenspeicher zu schlagen.

Noch darüber und eher mit der Leistung von DRAM soll der sparsame OCTRAM Verwendung finden, der gemeinsam mit Nanya entwickelt wird, aber noch nicht marktreif ist.

Ganz am unteren Ende der nach Leistung sortierten Pyramide stehen neue QLC-SSDs, die mit extrem hohen Speicherkapazitäten den Nearline-HDDs bei den Gesamtbetriebskosten (TCO) Konkurrenz machen sollen. Das sind SSDs mit über 100 TB.

Prognosen zum BiCS10-Flash

Kioxia und SanDisk arbeiten an ihrer 10. Generation 3D-NAND (BiCS10). Diese folgt auf BiCS8, so ganz chronologisch ist die Zählweise also nicht.

Mit dem neuen Design, bei dem eine Erhöhung von aktuell 218 Layern auf 332 Layer stattfindet, soll nicht nur die Flächendichte um 59 Prozent zulegen. Kioxia strebt zudem eine Beschleunigung des NAND-Interface um 33 Prozent an, was 4.800 MT/s statt 3.600 MT/s bedeutet. Die Leselatenz von derzeit 35 µs soll 5 Prozent geringer ausfallen, was rechnerisch zu 33 µs führt. Die Steigerung der Energieeffizienz um 10 Prozent lässt wiederum etwas mehr als 1.650 MB/s pro Watt vermuten.

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